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Transient Electro-Thermal Modeling On Power Semiconductor Devices

de Enrico Santi, Jerry Hudgins, Bin Du e Tanya Kirilova Gachovska
idioma: inglês
Editor: Springer International Publishing AG, novembro de 2013 ‧
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The instantaneous dissipated power, calculated using the electrical device models, serves as input to the thermal model (RC network with constant and nonconstant thermal resistance and thermal heat capacity, or Fourier thermal model) of the entire module or package, which computes the junction temperature of the device.

Transient Electro-Thermal Modeling On Power Semiconductor Devices

de Enrico Santi, Jerry Hudgins, Bin Du e Tanya Kirilova Gachovska

Propriedade Descrição
ISBN: 9783031013782
Editor: Springer International Publishing AG
Data de Lançamento: novembro de 2013
Idioma: Inglês
Dimensões: 191 x 235 x 20 mm
Encadernação: Capa mole
Páginas: 68
Tipo de produto: Livro
Coleção: Synthesis Lectures On Power Electronics
Classificação Temática: Livros em Inglês > Engenharia > Eletricidade e Energia
EAN: 9783031013782

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