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Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices

de Enrico Santi, Angus Bryant, Jerry L. Hudgins e Tanya K. Gachovska
idioma: inglês
Editor: Springer International Publishing AG, abril de 2013 ‧
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The devices are subdivided into different regions, and the operation in each region, along with the interactions at the interfaces which are analyzed using basic semiconductor physics equations that govern their behavior.

Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices

de Enrico Santi, Angus Bryant, Jerry L. Hudgins e Tanya K. Gachovska

Propriedade Descrição
ISBN: 9783031013706
Editor: Springer International Publishing AG
Data de Lançamento: abril de 2013
Idioma: Inglês
Dimensões: 191 x 235 x 20 mm
Encadernação: Capa mole
Páginas: 88
Tipo de produto: Livro
Coleção: Synthesis Lectures On Power Electronics
Classificação Temática: Livros em Inglês > Engenharia > Eletricidade e Energia
EAN: 9783031013706

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