Hf-Based High-K Dielectrics

Process Development, Performance Characterization, And Reliability

de Jack C. Lee e Young Hee Kim
idioma: inglês
Editor: MORGAN & CLAYPOOL PUBLISHERS, outubro de 2005 ‧
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Chip density and performance have been driven by scaling of semiconductor devices. This book tells how SiO2 gate dielectrics have reached its minimum thickness due to direct tunneling current and reliability concerns. Therefore, high-k dielectrics attracted more attention from industries as the replacement of conventional SiO2 gate dielectrics.

Hf-Based High-K Dielectrics

Process Development, Performance Characterization, And Reliability

de Jack C. Lee e Young Hee Kim

Propriedade Descrição
ISBN: 9781598290042
Editor: MORGAN & CLAYPOOL PUBLISHERS
Data de Lançamento: outubro de 2005
Idioma: Inglês
Encadernação: Capa mole
Páginas: 92
Tipo de produto: Livro
Classificação Temática: Livros em Inglês > Engenharia > Eletricidade e Energia
EAN: 9781598290042