10% de desconto
Livro eBook
idioma: inglês
Editor: TAYLOR & FRANCIS LTD, julho de 2001 ‧
371,77€
10% DESCONTO CARTÃO
portes grátis
Venda o seu livro
Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics.

Applications Of Silicon-Germanium Heterostructure Devices

de G.A (The Queen'S University Of Belfast, Uk) Armstrong e C.K (Indian Institute Of Technology, Kharagpur, India) Maiti

Propriedade Descrição
ISBN: 9780750307239
Editor: TAYLOR & FRANCIS LTD
Data de Lançamento: julho de 2001
Idioma: Inglês
Dimensões: 156 x 235 x 20 mm
Encadernação: Capa dura
Páginas: 414
Tipo de produto: Livro
Coleção: Series In Optics And Optoelectronics
Classificação Temática: Livros em Inglês > Ciências Exatas e Naturais > Física
EAN: 9780750307239