The Igbt Device

Physics, Design And Applications Of The Insulated Gate Bipolar Transistor

de B. Jayant Baliga
idioma: inglês
Editor: WILLIAM ANDREW PUBLISHING, março de 2015 ‧
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The Igbt Device

Physics, Design And Applications Of The Insulated Gate Bipolar Transistor

de B. Jayant Baliga

Propriedade Descrição
ISBN: 9781455731435
Editor: WILLIAM ANDREW PUBLISHING
Data de Lançamento: março de 2015
Idioma: Inglês
Dimensões: 241 x 196 x 35 mm
Encadernação: Capa dura
Páginas: 732
Tipo de produto: Livro
Coleção: Micro & Nano Technologies
Classificação Temática: Livros em Inglês > Engenharia > Eletricidade e Energia
EAN: 9781455731435